MOSFETy CoolSiC™ od spoločnosti Infineon využívajú optimalizovaný, najmodernejší proces výroby polovodičov, ktorý umožňuje docieliť čo najnižšie straty v aplikáciách a zároveň najvyššiu spoľahlivosť pri prevádzke. MOSFETy s menovitými napäťovými triedami 1700 V, 1200 V a 650 V a odpormi v priamom smere od 27 mΩ do 1000 mΩ sa ideálne hodia na integráciu do aplikácií, ako sú fotovoltické meniče, nabíjanie batérií, skladovanie energie, pohony motorov, UPS, pomocné zdroje, SMPS a podobne.

Tieto MOSFETy sú ideálne pre obvody s korekciou účinníka (PFC), obojsmerné topológie a DC-DC meniče alebo DC-AC meniče. Okrem toho zaujmú vynikajúcou odolnosťou voči nežiaducim parazitným efektom pri zapnutí a nízkymi dynamickými stratami, a to aj pri nulovom vypínacom napätí v mostíkových topológiách.

Použitím technológie CoolSiC™ Trench je umožnený flexibilný súbor parametrov, ktorý sa využíva na implementáciu funkcií špecifických pre jednotlivé aplikácie v príslušnom produktovom portfóliu:

• Napríklad 650 V CoolSiC™ MOSFETy ponúkajú optimalizované spínanie pri vysokých prúdoch a nízkych kapacitách. Sú určené pre priemyselné aplikácie, ako sú servery, telekomunikácie a motorové pohony.
• Rad 1200 V MOSFET je vhodný pre priemyselné aj automobilové aplikácie, ako sú palubné nabíjačky/PFC, pomocné meniče a zdroje neprerušovaného napájania (UPS).
• Typológia flyback charakterizuje 1700 V variant, vďaka čomu je ideálny na použitie v systémoch na skladovanie energie, rýchle nabíjanie elektrických vozidiel, riadenie napájania (SMPS) a riešenia solárnych systémov.

Menej ponúka viac Infineon EiceDRIVER™ ponúka rad vybraných ovládačov IC, ktoré spĺňajú požiadavky na extrémne rýchle spínanie SiC MOSFET. V kombinácii s produktmi CoolSiC umožňujú vyššiu účinnosť, zníženie požiadaviek na chladenie, úsporu miesta a hmotnosti, zníženie počtu použitých komponentov a zvýšenie spoľahlivosti systému s dlhšou životnosťou pri nižších nákladoch na systém.

Vlastnosti:

• Nízko kapacitné prechody
• Spínanie nezávislé od teploty a nízke straty vedením, najmä pri čiastočnom zaťažení
• Vnútorná dióda s nízkym spätným nábojom
• Bezprahové charakteristiky v zapnutom stave; prahové napätie U_th > 4 V
• Vynikajúca spoľahlivosť hradla
• Riadenie kompatibilné s IGBT (+18 V)
• Skratová a lavínová odolnosť
• Vyššia frekvencia prevádzky

Ďalšie informácie o MOSFEToch CoolSiC™ spoločnosti Infineon a možnosť ich priameho objednania nájdete na adrese www.rutronik24.com.

Zdroj : Rutronik24