"Rastúci dopyt po vysokej hustote výkonu núti vývojárov, aby vo svojich aplikáciách používali 1500V jednosmerné spoje," uvádza spoločnosť. "Systémy založené na 1 500 V jednosmernom prúde však predstavujú väčšie výzvy pri návrhu systému, ktorý si zvyčajne vyžaduje viacúrovňovú topológiu, čo vedie ku komplikovanému návrhu."

Použité puzdro je TO247-Plus so 14 mm vzdialenosťou a 5,5 mm vôľou. Okrem vyššieho napätia v porovnaní s 1,7 kV SiC mosfetmi spoločnosť uvádza desaťkrát nižšiu mieru FIT spôsobenú kozmickým žiarením testovanú v rozmedzí 1,3 až 1,7 kV a dodáva, že dióda v tele mosfetu je dostatočne odolná na tvrdé spínanie.

Bezpečná pracovná oblasť brány bola rozšírená v porovnaní s predchádzajúcimi typmi, ktoré mali predtým odhryznutý pravý dolný okraj a pri niektorých typoch siahali len do -7 V. Tieto sú postavené na najnovšom procese SiC s označením M1H. "Pokroky umožňujú výrazne väčšie napäťové okno hradla, ktoré zlepšuje odpor pri zapnutí pri danej veľkosti matrice," uviedla spoločnosť. "Zároveň väčšie okno napätia na hradle poskytuje odolnosť voči napäťovým špičkám na hradle súvisiacim s ovládačom a rozložením, a to bez akýchkoľvek obmedzení aj pri vysokých spínacích frekvenciách.

2kV varianty budú najprv k dispozícii vo forme 19mΩ 40A, so štyrmi mosfetmi a štyrmi diódami v jednom púzdreí EasyPack 3B pre 1,5kV fotovoltaické strunové striedače (typ DF4-19MR20W3M1HF_B11, vzorky teraz a výroba v 3. štvrťroku).

Ďalej prídu 3, 4 a 6mΩ varianty, v pároch ako polomosty v 62mm moduloch pre trakčné meniče, nabíjanie elektrických vozidiel a ističe. (typy FF3.., FF4.. a FF6MR20KM1H, vzorky teraz a výroba vo 4. štvrťroku). Diskrétne mosfety a diódy v púzdre TO247-Plus na obrázku vyššie prídu na trh koncom tohto roka.

2kV varianty boli oznámené na veľtrhu PCIM v Norimbergu - spoločnosť Infineon nájdete v stánku 412 v hale 7.

Zdroj : Infineon