Spoločnosť Samsung uvádza technológiu V-NAND pre herné SSD NVMe

Spoločnosť Samsung uvádza technológiu V-NAND pre herné SSD NVMe
Elektrolab Pridal  Elektrolab
  45 zobrazení
2
 0
Počítače a výpočtová technika

Spomedzi počítačových aplikácií, ktoré využíva bežný spotrebiteľ, patrí hranie hier k najobľúbenejším a zároveň k najnáročnejším na výpočty. Z tohto dôvodu sa mnohé z pokrokov v oblasti výpočtovej techniky, ktoré sa objavujú v správach, zameriavajú na hry, kde inovácie v produktoch, ako sú grafické procesory a pamäťové technológie, zvyšujú výkon.

Tento týždeň spoločnosť Samsung pokračovala v tomto trende vydaním novej rodiny pevných diskov NVMe (SSD), ktorá je optimalizovaná pre herné a kreatívne aplikácie.

V tomto článku sa pozrieme na niektoré základné technológie, ako aj na podrobnosti o novom SSD od spoločnosti Samsung.

V-NAND využíva vertikálny rozmer

Pre väčšinu technológií SSD je vhodnou pamäťovou architektúrou NAND flash, ktorá je fyzicky malá a ponúka extrémne vysoké rýchlosti zápisu. Historicky však boli pamäťové riešenia flash navrhnuté na ukladanie dát v dvojrozmernej štruktúre, kde boli čipy NAND flash položené horizontálne vedľa seba a odstupňované buď do šírky, alebo do dĺžky. čipy boli odstupňované a položené na rovný povrch.

Tento trend pokračoval niekoľko desaťročí, až nedávno začala 2D architektúra narážať na niektoré významné obmedzenia, ktoré bránia ďalšiemu škálovaniu. Konkrétne, so zmenšujúcou sa vzdialenosťou medzi bunkami NAND sa zvyšujú aj úniky prúdu na tranzistoroch. Z tohto dôvodu boli výrobcovia pamätí NAND flash obmedzení v tradičnom škálovaní a neboli schopní ísť oveľa nižšie ako 13 nm bez toho, aby obetovali výkon.

2D planárna NAND vs. 3D V-NAND.

Na vyriešenie tohto problému spoločnosť Samsung vynašla pamäť flash, ktorú nazýva vertical-NAND (V-NAND). Na rozdiel od tradičnej architektúry 2D NAND je V-NAND trojrozmerná architektúra, v ktorej sú vrstvy NAND vertikálne uložené nad sebou a prepojené po vrstvách. Hoci túto technológiu dnes používa mnoho ďalších spoločností pod rôznymi názvami (napríklad 3D NAND), spoločnosť Samsung sa označuje za jej vynálezcu a priekopníka v tejto oblasti.

Spoločnosť Samsung sa teraz pripravuje na hromadnú výrobu svojej 8. generácie V-NAND, ktorá obsahuje viac ako 200 vrstiev na sebe uložených buniek NAND a prináša so sebou výrazné zlepšenie hustoty, účinnosti a výkonu.

SSD disk 990 Pro od spoločnosti Samsung založený na technológii V-NAND

Spoločnosť Samsung tento týždeň uviedla na trh novú rodinu SSD diskov NVMe založených na rozhraní PCIe 4.0. Využíva pritom technológiu V-NAND. Nový produktový rad s názvom 990 PRO SSD bol údajne navrhnutý špeciálne pre herné a kreatívne aplikácie a na tento účel prichádza s pôsobivými špecifikáciami.

Séria 990 PRO, postavená na najnovšej technológii V-NAND spoločnosti Samsung a úzko spojená s novým vlastným pamäťovým radičom, údajne ponúka najvyššiu možnú rýchlosť PCIe, pričom dosahuje rýchlosť sekvenčného čítania 7 450 MB/s z teoretického maxima 8 000 MB/s.

SSD disky 990 PRO zároveň deklarujú 55% zlepšenie náhodného výkonu v porovnaní s ponukou predchádzajúcej generácie. Na kvantifikáciu nám Samsung uvádza, že 990 PRO dosahuje rýchlosť náhodného čítania až 1400 K IOPS (I/O operácie za sekundu) a rýchlosť náhodného zápisu až 1550 K IOPS.

Modelová rada 990 PRO je vybavená inteligentným tepelným riešením

Celá rodina bude mať maximálnu kapacitu 4 TB spolu so 4 GB pamäte LPDDR4 DRAM a jej cena bude 309 USD za 2 TB model. Podľa spoločnosti Samsung sa v testoch 990 PRO súvisiacich s hraním hier zistilo, že časy načítania máp sú 4× rýchlejšie ako v prípade ponuky SATA SSD a 28× rýchlejšie ako v prípade riešení s pevným diskom. Zariadenie zároveň deklaruje o 50 % vyšší výkon na watt v porovnaní s predchádzajúcou generáciou, pričom uvádza výkon 1 319 MB/W.

Kapacita/model 1 TB 2 TB 4 TB
Kapacita 1 TB 2 TB 4 TB
NAND TLC V-NAND TLC V-NAND TLC V-NAND
Cache (DRAM) 1 GB LPDDR4 2 GB LPDDR4 4 GB LPDDR4
Sekvenčné čítanie 7450 MB/s 7450 MB/s ?
Sekvenčný zápis 6900 MB/s 6900 MB/s ?
Náhodné čítanie (4K) 1 200 000 IOPS 1 400 000 IOPS ?
Náhodný zápis (4K) 1 550 000 IOPS 1 550 000 IOPS ?
Náhodné čítanie Queue Depth 1 22 000 IOPS 22 000 IOPS ?
Náhodný zápis Queue Depth 1 80 000 IOPS 80 000 IOPS ?
Spotreba (průměr) 5,4 W 5,5 W ?
Spotřeba (max) 7,8 W 8,5 W ?
Spotreba (nečinnosť) 50 mW 55 mW ?
Spotreba (Dev Sleep) 5 mW 5 mW ?
Garantovaný objem zápisu 600 TB 1200 TB 2400 TB
Cena 179 $ 309 $ ?

 

Máte aj vy zaujímavú konštrukciu, alebo článok?

Máte aj vy zaujímavú konštrukciu, alebo článok a chceli by ste sa o to podeliť s viac ako 250.000 čitateľmi? Tak neváhajte a dajte nám vedieť, radi ju uverejníme a to vrátane obrazových a video príloh. Rovnako uvítame aj autorov teoretických článkov, či autorov zaujímavých videí z oblasti elektroniky / elektrotechniky.

Kontaktujte nás!


Páčil sa Vám článok? Pridajte k nemu hodnotenie, alebo podporte jeho autora.
 

     

Komentáre k článku

Zatiaľ nebol pridaný žiadny komentár k článku. Pridáte prvý? Berte prosím na vedomie, že za obsah komentára je zodpovedný užívateľ, nie prevádzkovateľ týchto stránok.
Pre komentovanie sa musíte prihlásiť.

Vyhľadajte niečo na našom blogu

PCBWay Promo

JLCPCB Promo
PCBWay Promo

JLCPCB Promo
PCBWay Promo

JLCPCB Promo
Webwiki Button