Nové 4-pinové SiC MOSFETy od spoločnosti Toshiba majú nižšie straty pri spínaní
Prvé nové komponenty v rade SiC MOSFETov spoločnosti Toshiba, ktoré používajú 4-pinové púzdro TO-247-4L(X), pozostávajú z 10tich nových komponentoví,...
Prvé nové komponenty v rade SiC MOSFETov spoločnosti Toshiba, ktoré používajú 4-pinové púzdro TO-247-4L(X), pozostávajú z 10tich nových komponentoví,...
Spoločnosť Toshiba premiérovo predstavila n-kanálový MOSFET s označením TPH3R10AQM, ktorý podporuje miniaturizáciu napájacích obvodov
Polovodiče a integrované obvody (IC) sa dodávajú v najrôznejších možných tvaroch a veľkostiach. Mätúce však je, že aj ten istý komponent je zvyčajne d...
Od svojho prvého objavenia v Bellových laboratóriách v roku 1947 až dodnes spôsobil tranzistor revolúciu v elektronickom priemysle azda viac než ktorý...
Spoločnosť Nexperia, odborník na polovodiče, dnes oznámila uvedenie nového radu 20 V a 30 V MOSFETov v najmenšom púzdre DFN na svete, DFN0603.
Spoločnosť Infineon oznámila nové 2kV mosfety a diódy z karbidu kremíka na použitie vo vysokovýkonných meničoch s 1,5kV jednosmernými linkami.
MOSFETy CoolSiC™ od spoločnosti Infineon využívajú optimalizovaný, najmodernejší proces výroby polovodičov, ktorý umožňuje docieliť najnižšie straty v...
Hoci je technológia MOSFET v dnešnej dobe základom v polovodičovom priemysle, nebolo to vždy tak. Poďme si preto predstaviť dvoch mužov stojacich za t...
Možno by bolo prekvapujúce vedieť, že patent na "tranzistor riadený poľom" predišiel vytvoreniu bipolárneho tranzistora najmenej o dvadsať rokov.