Nové 4-pinové SiC MOSFETy od spoločnosti Toshiba majú nižšie straty pri spínaní
Prvé nové komponenty v rade SiC MOSFETov spoločnosti Toshiba, ktoré používajú 4-pinové púzdro TO-247-4L(X), pozostávajú z 10tich nových komponentoví,...
Prvé nové komponenty v rade SiC MOSFETov spoločnosti Toshiba, ktoré používajú 4-pinové púzdro TO-247-4L(X), pozostávajú z 10tich nových komponentoví,...
Spoločnosť Toshiba premiérovo predstavila n-kanálový MOSFET s označením TPH3R10AQM, ktorý podporuje miniaturizáciu napájacích obvodov
Polovodiče a integrované obvody (IC) sa dodávajú v najrôznejších možných tvaroch a veľkostiach. Mätúce však je, že aj ten istý komponent je zvyčajne d...
Od svojho prvého objavenia v Bellových laboratóriách v roku 1947 až dodnes spôsobil tranzistor revolúciu v elektronickom priemysle azda viac než ktorý...
Spoločnosť Nexperia, odborník na polovodiče, dnes oznámila uvedenie nového radu 20 V a 30 V MOSFETov v najmenšom púzdre DFN na svete, DFN0603.
Spoločnosť Infineon oznámila nové 2kV mosfety a diódy z karbidu kremíka na použitie vo vysokovýkonných meničoch s 1,5kV jednosmernými linkami.
MOSFETy CoolSiC™ od spoločnosti Infineon využívajú optimalizovaný, najmodernejší proces výroby polovodičov, ktorý umožňuje docieliť najnižšie straty v...
Hoci je technológia MOSFET v dnešnej dobe základom v polovodičovom priemysle, nebolo to vždy tak. Poďme si preto predstaviť dvoch mužov stojacich za t...