TPH3R10AQM: MOSFET s procesom U-MOS X-H spoločnosti Toshiba s kanálom typu n
Spoločnosť Toshiba premiérovo predstavila nový n-kanálový MOSFET s označením TPH3R10AQM. Tento tranzistor sa vyznačuje nízkym odporom: 3,1 - 6 mΩ a maximálnym napätím Vds=100 V. Prúd, ktorý tranzistor TPH3R10AQM prenáša, dosahuje je až 120 A.
TPH3R10AQM sa vyznačuje 3 hodnotami náboja: Qg=83 nC, Qsw=32 nC a Qoss=88 nC. Nízky zapínací odpor tranzistora TPH3R10AQM a rozšírenie jeho lineárneho pracovného rozsahu zaručujú vysoký výkon tranzistora počas celej jeho doby životnosti. Prahová hodnota Vgs 2,5 - 3,5 V výrazne eliminuje riziko nesprávnej prevádzky TPH3R10AQM v dôsledku šumu napätia Vgs. K tomu dochádza pri vstupnej kapacite 5,18 nF. Tranzistor TPH3R10AQM je okrem iného určený pre spínacie obvody a obvody s výmenou za prevádzky, ktoré sa vyskytujú v zariadeniach používaných napríklad v dátových centrách alebo telekomunikačných základňových staniciach. Rozmery tranzistora sú : 4,9 × 6,1 mm. Tranzistor TPH3R10AQM je k dispozícii v púzdra SOP Advance(N).
Aplikácie
- Napájacie zdroje pre komunikačné zariadenia, ako sú dátové centrá a komunikačné základňové stanice
- Spínané zdroje (vysokoúčinné DC-DC meniče atď.)
Viac informácií nájdete na odkazoch 1 a 2 a v datasheete nižšie. Ak sa vám v mobilnom zobrazení nezobrazuje datasheet, kliknite tu pre jeho stiahnutie.
Toto je forma obsahu, ktorá umožňuje priemyselným partnerom zdieľať s čitateľmi stránok ElektroLab užitočné novinky, správy a technológie spôsobom, na ktorý sa redakčný obsah nehodí. Výber publikovania nových produktov podlieha prísnym redakčným usmerneniam so zámerom ponúknuť čitateľom užitočné správy a technické poznatky. Názory a stanoviská vyjadrené v tejto kategórii sú názormi partnera a nie nevyhnutne názormi ElektroLab.eu alebo jej autorov.
